Наличие спиновых степеней свободы у носителей заряда проявляется наиболее ярко, прежде всего в наноразмерных магнитных и гибридных структурах. Изучение отклика таких систем на протекание спин-поляризованного тока принесли в последние годы много интересных результатов, которые сделали весьма привлекательной идею использования спина электрона в качестве активного элемента для хранения, обработки и передачи информации [1, 2]. Сформировалось самостоятельное направление – спинтроника, которое охватывает и фундаментальные аспекты спин-зависимых явлений, и прикладные вопросы, связанные с созданием принципиально новых электронных устройств, построенных на возможности манипулировать спиновыми степенями свободы носителей заряда.

Пожалуйста, оформите подписку для того, чтобы получить доступ к данной статье